氣相沉積法可籠統地分為物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）兩大類。氣相沉積法是將基體放在高溫真空室中，將所要沉積的金屬制成靶體（PVD）或易揮發物質（CVD）通過物理或化學方法使金屬沉積在基體表面上，從而形成以后化學鍍所需的活性層。

氣相沉積法制得的活性層與基體結合緊密，導致鍍層金屬與基體的結合也很緊密，且有時可以制得用常規方法難以得到的活性層，但該法通常需要昂貴的高真空設備，沒有區域選擇性，要求基體耐高溫，體積不宜太大，有時還要將鍍層金屬制成易揮發的物質（通常有毒），因而限制了它在化學鍍中的應用。